Bài giảng Lý thuyết trường điện từ và siêu cao tần - Ngô Đức Thiện

1 
HỌC VIỆN CÔNG NGHỆ BƯU CHÍNH VIỄN THÔNG 
-------------------- 
NGÔ ĐỨC THIỆN 
BÀI GIẢNG 
LÝ THUYẾT TRƯỜNG ĐIỆN TỪ 
VÀ SIÊU CAO TẦN 
Hà Nội 2013 
2 
LỜI MỞ ĐẦU 
Học phần Lý thuyết trường điện từ và Siêu cao tần thuộc phần kiến thức cơ sở cho các 
chuyên ngành điện – điện tử và viễn thông. Học phần này có mục đích nêu những khái niệm 
cơ bản chung liên quan đến trường điện từ, xây dựng những phương pháp khảo sát tương tác 
trường – chất. Trình bày các định luật, các nguyên lý cơ bản của trường điện từ, cùng các quy 
luật và tính chất lan truyền của sóng điện từ trong chân không, trong không gian vô hạn và 
các quá trình lan truyền sóng siêu cao tần trong các loại đường truyền dẫn phổ biến. Mô tả các 
quá trình dao động điện từ ở dải siêu cao tần trong các mạch dao động cộng hưởng khác nhau. 
Nghiên cứu nguyên lý các mạng nhiều cực siêu cao tần và các linh kiện điện tử và bán dẫn 
siêu cao tần. 
Cuốn bài giảng “Lý thuyết trường điện từ và Siêu cao tần” bao gồm 6 chương, trong 
đó 3 chương đầu là các nội dung về Lý thuyết trường điện từ: 
Chương 1: Các định luật và nguyên lý cơ bản của trường điện từ. Chương này đưa ra 
các thông số cơ bản đặc trưng cho trường điện từ và môi trường chất, các định luật, hệ 
phương trình Maxwell, các đặc điểm và phương trình của trường điện từ tĩnh và trường điện 
từ dừng. 
Chương 2: Bức xạ sóng điện từ. Chương này trình bày nghiệm của hệ phương trình 
Maxwell, nghiệm của phương trình thế, và bức xạ sóng điện từ của dipol điện. 
Chương 3: Sóng điện từ phẳng. Chương này khảo sát quá trình lan truyền của sóng 
điện từ phẳng trong các môi trường đồng nhất đẳng hướng và môi trường không đẳng hướng, 
sự phân cực của sóng điện từ, hiện tượng phản xạ và khúc xạ sóng điện từ 
Ba chương tiếp theo là các nội dung về kỹ thuật siêu cao tần, bao gồm: 
Chương 4: Sóng điện từ trong các hệ định hướng. Chương này trình bày các hệ định 
hướng sóng điện từ như dây song hành, cáp đồng trục, ống dẫn sóng 
Chương 5: Hộp cộng hưởng. Trình bày khái niệm về hộp cộng hưởng, các loại hệ số 
phẩm chất, các hộp cộng hưởng đơn giản và phức tạp, kích thích năng lượng và điều chỉnh tần 
số cộng hưởng. 
Chương 6: Mạng nhiều cực siêu cao tần. Chương này tập trung vào các vấn đền về 
mạng 2n cực siêu cao tần, các mạng 2 cực, 4 cực, 6 cực. Vấn đề phối hợp trở kháng ở mạch 
siêu cao tần. 
Trong quá trình biên soạn bài giảng này không thể tránh được những sai sót, tác giả rất 
mong nhận được các ý kiến góp ý của bạn đọc. 
 Hà nội, tháng 10 năm 2013 
3 
MỤC LỤC 
LỜI MỞ ĐẦU .................................................................................................................................. 1 
MỤC LỤC .................................................................................................................................. 3 
CHƯƠNG 1. CÁC THAM SỐ VÀ ĐỊNH LUẬT CƠ BẢN CỦA TRƯỜNG ĐIỆN TỪ ................. 7 
1.1. Các đại lượng đặc trưng cơ bản cho trường điện từ và môi trường chất .................... 7 
1.1.1. Vec tơ cường độ điện trường E
 ................................................................................. 7 
1.1.2. Vec tơ điện cảm D
 .................................................................................................... 7 
1.1.3. Vectơ cường độ từ cảm B
 .......................................................................................... 8 
1.1.4. Vec tơ cường độ từ trường H
 .................................................................................... 8 
1.1.5. Các tham số đặc trưng cơ bản của môi trường ............................................................ 9 
1.2. Các phương trình Maxwell ..................................................................................... 10 
1.2.1. Một số khái niệm và định luật cơ bản ........................................................................ 10 
1.2.2. Các dạng của hệ phương trình Maxwell .................................................................... 13 
1.2.3. Ý nghĩa của hệ phương trình Maxwell ....................................................................... 15 
1.3. Điều kiện bờ đối với các vec tơ của trường điện từ ................................................. 16 
1.4. Năng lượng của trường điện từ - Định lý Poynting ................................................. 18 
1.5. Trường tĩnh điện .................................................................................................... 20 
1.5.1. Các phương trình đặc trưng cơ bản .......................................................................... 20 
1.5.2. Một số bài toán về trường tĩnh điện .......................................................................... 22 
1.6. Từ trường của dòng điện không đổi ........................................................................ 24 
1.6.1. Điện trường dừng ..................................................................................................... 25 
1.6.2. Từ trường dừng ........................................................................................................ 25 
1.7. Trường điện từ biến thiên ....................................................................................... 26 
1.7.1. Các phương trình cơ bản .......................................................................................... 26 
1.7.2. Hiện tượng sóng của trường điện từ biến thiên.......................................................... 29 
BÀI TẬP CHƯƠNG 1 ................................................................................................... 31 
CHƯƠNG 2. BỨC XẠ SÓNG ĐIỆN TỪ ....................................................................................... 33 
2.1. Bức xạ của lưỡng cực điện ..................................................................................... 33 
2.1.1. Tìm nghiệm tổng quát ............................................................................................... 33 
2.1.2. Trường bức xạ ở khu gần ......... ... ước, các electron bị giảm vận tốc sẽ di chuyển chậm lại và gặp các electron phía sau. Khi 
hiện tượng trên xảy ra tuần tự liên tiếp, chùm electron ban đầu sẽ lần lượt bị kết nhóm 
electron sau khi ra khỏi hốc cộng hưởng 1 và các nhóm electron này sẽ di chuyển trong vùng 
không gian giữa hộc cộng hưởng 1 và hốc cộng hưởng 2. 
Khi các nhóm electron này đi xuyên qua hốc cộng hưởng 2, sự dịch chuyển thành nhóm 
của hạt mang điện sẽ tương đương dòng điện bị điều chế cường độ và do đó cảm ứng hiệu 
điện thế RF ở tần số cao trong hốc. Hiệu thế này đồng dạng với tín hiệu RF vào, sẽ được lấy 
ra từ hốc cộng hưởng 2 (tín hiệu RF ra), nhờ vậy ta tạo được mạch khuếch đại siêu cao tần. 
Các electron sau khi ra khỏi hốc cộng hưởng 2 sẽ được thu nhận bởi điện cực collector. 
Đèn Klystron trực xạ có một số đặc tính kỹ thuật chính như sau: 
- Hiệu suất công suất: trong lý thuyết hiệu suất công suất  = Pout/Pin có thể đạt cực đại 
đến 58%, nhưng trong thực tế  thường đạt từ 15% đến 30% 
- Công suất phát lớn, có thể đạt đến 500 kW với tín hiệu liên tục và hàng chục MW cho 
tín hiệu xung, tại các tần số từ 10 GHz đến 20 GHz. 
- Hệ số khuếch đại công suất lớn, có thể đạt đến 40 dB. 
144 
Hình 6.29. Một số hình ảnh đèn Klystron 
6.9.2. Đèn Klystron phản xạ 
Với đèn Klystron trực xạ, năng lượng của chùm tia electron khi ra khỏi hộc cộng hưởng 
1 sẽ được trao cho hốc cộng hưởng 2. Nếu cấu trúc chỉ có một hốc cộng hưởng và tia electron 
sau khi ra khỏi hốc cộng hưởng này sẽ bị đẩy ngược trở lại vào hốc cộng hưởng đó một lần 
nữa sẽ có khả năng xảy ra hồi tiếp dương của tín hiệu điều chế vận tốc của các nhóm electron 
trong quá trình trên (nếu tổng quãng đường đi tương ứng với độ trễ pha là bội số của 2 ). Lúc 
này đèn Klystron sẽ tạo ra dao động siêu cao tần. Đây là loại đèn Klystron phản xạ. 
Đèn Klystron phản xạ được dùng để làm các bộ nguồn tín hiệu siêu cao tần công suất 
thấp (từ 10mW đến 500mW) với dải tần số từ 1GHz đến 25GHz. Hiệu suất của đèn đạt từ 
20% đến 30%. Đèn Klystron phản xạ có thể được sử dụng trong phòng thí nghiệm để thực 
tập, đo lường siêu cao tần hoặc có thể làm bộ dao động nội của máy thu trong các thiết bị 
radar, tên lửa quân sự, dân dụng hoặc hàng không. 
Hình 6.30. Đèn Klystron phản xạ 
145 
6.9.3. Đèn sóng chạy 
Đèn sóng chạy (TWT: Traveling-Wave Tube) cũng là một loại linh kiện siêu cao tần, 
được sử dụng trong mạch khuếch đại RF công suất cao hoặc mạch tạo sóng có công suất trung 
bình và dải tần số rộng. Dải tần số hoạt động từ 300MHz đến 50GHz, hệ số khuếch đại 
khoảng 70dB. Có hai loại đèn sóng chạy: đèn sóng chạy dùng phần tử làm chậm sóng hình 
xoắn và đèn sóng chạy dùng các hốc cộng hưởng ghép. Chúng ta chỉ khảo sát đèn sóng chạy 
dùng phần tử làm chậm hình xoắn. 
Hình 6.31. Đèn sóng chạy hình xoắn 
(1) Súng điện tử; (2) Đầu vào RF; (3) Nam châm; (4) Bộ suy giảm; 
(5) Lõi xoắn; (6) Đầu ra RF; (7) Ống chân không; (8) Collector. 
Đèn gồm một cathode nung nóng bức xạ chùm tia electron, được gia tốc bởi cực anode 
và hấp thụ bởi cực thu. Khối hội tụ dùng từ trường có tác dụng làm hội tụ thành chùm tia 
electron khi chúng đi qua vùng cấu trúc làm chậm sóng. Cấu trúc này thường có dạng xoắn, 
thực chất là một ống dẫn sóng, là nơi ta đặt tín hiệu siêu cao tần vào. Khi tín hiệu siêu cao tần 
này lan truyền dọc theo đường ống xoắn, vô hình chung sẽ tạo một điện trường hướng dọc 
theo trục của ống xoắn. Điện trường này cũng lan truyền dọc trục với vận tốc được tính gần 
đúng bằng vận tốc lan truyền của sóng dọc theo chu vi mỗi vòng xoắn. 
Khi chùm tia electron di chuyển dọc theo trục ống xoắn, sẽ xảy ra sự tương tác giữa 
điện trường vì: các electron đi vào tại thời điểm bán kỳ dương của điện trường sẽ được gia tốc 
trong khi các electron đi vào tại thời điểm bán kỳ âm sẽ bị giảm tốc. Kết quả là sẽ xảy ra sự 
kết nhóm của chùm tia electron. Người ta tính toán sao cho các nhóm electron này ra khỏi ống 
xoắn tại thời điểm vuông pha với điện trường, do đó động năng của chúng được chuyển thành 
năng lượng của tín hiệu trong ống xoắn. Quá trình này được ứng dụng để khuếch đại tín hiệu 
siêu cao tần hoặc tạo dao động, tương tự như đối với đèn Klystron. Tuy nhiên, sự khác biệt 
chính giữa hai loại đèn này là trong đèn sóng chạy, sự tương tác giữa chùm tia electron và 
điện trường xảy ra liên tiếp dọc suốt chiều dài di chuyển của chùm tia trong khi trong đèn 
Klystron sự tương tác chỉ xảy ra tại đúng thời điểm khi tia electron đi ngang qua khe của hốc 
cộng hưởng. 
6.9.4. Diode PIN 
Diode bán dẫn PIN gồm có một bản silic cao ôm phẳng có độ dày khoảng 75m (trong 
giới hạn từ 10 đến 200m), ở hai mặt phẳng đầu có trộn tạp chất là Bo (để tạo ra vùng dẫn 
loại p ) và phốt pho (để tạo ra vùng bán dẫn loại n ), với kỹ thuật khuếch tán tạo ra các lớp 
chuyển tiếp p i và i n ở sát hai mặt phẳng hai đầu. Vùng cao ôm ở giữa được gọi là vùng 
i rất nghèo điện tích tự do. Tại hai mặt phẳng của hai vùng p và n gắn hai tiếp xúc kim loại để 
146 
làm anode và cathode cho diode (như Hình 6.32). Diode PIN có đặc tính như sau: nếu đặt vào 
diode một thiên áp âm một chiều (điện áp âm đặt vào vùng p ) hoặc thiên áp không thì hiệu 
thế tiếp xúc của các lớp chuyển tiếp p i và i n sẽ ngăn cản các điện tích tự do từ vùng 
p (các lỗ trống) và vùng n (các điện tử) phun vào vùng i (còn gọi là vùng Base) nên diode có 
trở kháng rất lớn (R cỡ từ đơn vị đến hàng chục k ). Diode trong trường hợp này không cho 
qua tín hiệu siêu cao tần, nó ở chế độ ngắt mạch. Khi đặt thiên áp thuận lên diode thì hàng rào 
thế của các lớp chuyển tiếp hạ thấp làm cho các điện tử và lỗ trống phun từ vùng n và vùng p 
vào vùng i làm cho diode thông. Trạng thái này diode được biểu diễn bởi sơ đồ ở Hình 6.32d. 
Ở đây r là điện trở thuần khá nhỏ (cỡ vài  ), sL chỉ điện cảm ký sinh đầu ra của diode (cỡ 
0,2-2nH). 
Trong trạng thái thông diode PIN cho qua tín hiệu siêu cao có dòng khá lớn. Ta dùng 
hai trạng thái thông và tắt của diode PIN cùng các tham số của nó khi mắc vào đường truyền 
siêu cao sẽ tạo ra các thiết bị điều khiển sự truyền sóng mong muốn như các bộ chuyển mạch 
và quay pha. 
Hình 6.32. Diode PIN 
6.9.5. Diode Tunnel 
Hiệu ứng Tunnel xảy ra trên các hạt mang điện tại tiếp xúc p n mật độ rất cao, không 
giống như hiệu ứng điện trường thông thường trong lớp bán dẫn (các hạt mang điện dịch 
chuyển dưới tác dụng của một điện trường bên ngoài và thời gian dịch chuyển qua vùng tiếp 
xúc bằng bề rộng vùng tiếp xúc chia cho vận tốc của hạt), mà do sự dịch chuyển lượng tử của 
các hạt nhân trên cùng một mức năng lượng. 
Diode Tunnel được sử dụng nhiều trong mạch khuếc đại, mạch dao động siêu cao tần, 
mạch flip-flop dùng trong bộ nhớ. Lý do chính là kích thước nhỏ, giá thành hạ, tốc độ cao, 
công suất tiêu thụ thấp, nhiễu thấp và tỉ số dòng điện đỉnh – thung lũng rất cao. 
6.9.5.1. Nguyên lý hoạt động 
Diode tunnel là diode tiếp xúc p-n có điện trở âm. Mật độ tạp chất ở cả hai vùng bán 
dẫn p và n rất cao (khoảng từ 1025 đến 1026 nguyên tử/m3) và bề dày miền rào thế tiếp xúc rất 
nhỏ (khoảng từ 100 A
 đến 10-6 cm). Theo quy luật thông thường, một hạt mang điện không 
thể vượt qua rào thế tiếp xúc trừ phi nó tích lũy đủ mức năng lượng lớn hơn hàng rào thế năng 
này. Tuy nhiên, khi bề dày của miền rào thế tiếp xúc quá nhỏ, có thể xảy ra trường hợp các 
p 
i 
n 
R Ci 
C_ 
r_ 
LS 
r+ 
a) b) c) d) 
147 
hạt mang điện chui xuyên qua miền rào thế (hiệu ứng đường hầm tunnel) dù rằng động năng 
của hạt chưa đủ lớn. 
Hình 6.33. 
Chúng ta hãy quan sát Hình 6.33, diode tunnel ở trạng thái hở mạch (trạng thái tĩnh). Do 
mật độ tạp chất ở hai vùng p và n rất cao nên khi chúng tạo thành vùng tiếp xúc chung mức 
Fermi EF ở cả hai bên lấn sâu vào vùng hóa trị p và vùng dẫn n và phải bằng nhau), vùnng 
hóa trị của bán dẫn p lại có mức năng lượng cao hơn vùng dẫn của bán dẫn n . Kết quả là các 
hạt điện tử ở vùng hoá trị p chui hầm sang lấp đầy vùng dẫn n có mức năng lượng thấp hơn. 
Ở trạng thái hở mạch (không có nguồn bên ngoài đặt vào), sẽ xuất hiện vùng không chứa 
electron ở vùng hóa trị p và vùng chứa đầy electron ở vùng dẫn n , trạng thái cân bằng được 
duy trì và không có dòng dịch chuyển của các hạt mang điện, do đó không có dòng điện. 
Hình 6.34. 
 (a) (b) 
 (c) (d) 
148 
Khi diode tunnel được phân cực thuận bởi nguồn điện bên ngoài V, sẽ có sự dịch 
chuyển mức năng lượng ở vùng p và n , tạo ra dòng điện qua diode I có đặc tuyến I(V) như 
trên Hình 6.35. Đặc tuyến này có 4 vùng (1), (2), (3), và (4), ta lần lượt xét từng vùng, tương 
ứng với hình Hình 6.34 a, b, c, và d. 
Hình 6.35. Đặc tuyến V-A của diode tunnel 
Khi nguồn V bắt đầu tăng dương, mức Fermi EFn cao hơn so vói EFp, xảy ra hiệu ứng 
chui hầm của electron từ vùng dẫn n chứa đầy electron sang vùng hóa trị p không chứa 
electron (Hình 6.34a). Nguồn V cáng tăng, hiệu ứng chui hầm càng tăng, do đó dòng điện I 
qua diode càng tăng, tương ứng với đoạn đặc tuyến (1) ở Hình 6.35. 
Khi nguồn V đạt đến giá trị Vp, toàn bộ vùng dẫn n chứa đầy electron nằm ngang mức 
năng lượng với vùng hóa trị p không chứa electron (Hình 6.34b), do đó, hiệu ứng chui hầm 
xảy ra với mật độ hạt rất lớn, dòng I đạt mức cực đại đỉnh Ip, tương ứng với điểm đỉnh (2) trên 
đặc tuyến Hình 6.35. 
Khi nguồn V tăng lớn hơn Vp, khoảng cân bằng mức năng lượng giữa vùng dẫn n chứa 
đầy electron với vùng hóa trị p không chứa electron bị giảm đi, (Hình 6.34c), do đó, dòng 
điện do hiện tượng chui hầm giảm, tương ứng đoạn đặc tuyến (3) trên Hình 6.35. Đây là đoạn 
có điện trở âm của đặc tuyến I(V). 
Khi nguồn V lớn hơn giá trị Vv, không còn hiệu ứng chui hầm nữa (Hình 6.34d), dòng 
điện I qua diode lúc này hoàn toàn giống như dòng điện khuếch tán của các hạt mang điện khi 
vượt qua rào thế tiếp xúc trong một diode thông thường. Do đó, đặc tuyến I(V) ở vùng (4) của 
Hình 6.35 có dạng hàm mũ. 
Tỉ số giữa mức dòng điện đỉnh Ip với mức dòng điện thung lũng Iv thường đạt từ mười 
đến vài chục lần. 
6.9.5.2. Đặc tính điện trở âm 
Ta có thể phân cực diode tunnel ở 3 loại đường tải khác nhau, tương ứng với 3 chế độ 
hoạt động (Hình 6.36). 
Với đường tải lưỡng ổn cắt đặc tuyến I(V) ở ba điểm a, b, c, ta nhận thấy chỉ có điểm a 
và c là tương ứng với trạng thái ổn định của mạch điện, nghĩa là khi mạch điện đã tồn tại ở 
trạng thái này thì nó sẽ tồn tại mãi mãi ở trạng thái đó nếu không có tác nhân kích thích từ bên 
ngoài. Điểm b tương ứng với trạng thái không ổn định, nghĩa là mạch điện sẽ tự động chuyển 
149 
sang trạng thái khác nếu đang tồn tại ở trạng thái không ổn định. Vì lúc này diode tunnel có 2 
trạng thái ổn định nên được gọi là lưỡng ổn và có thể đựơc dùng trong các mạch flip-flop, 
giao hoán, v.v 
Hình 6.36. 
Với đường tải đơn ổn cắt đặc tuyến I(V) chỉ ở điểm a (trạng thái ổn định), dù ban đầu 
diode tunnel đang ở điểm hoạt động khác nhau nhưng sau đó sẽ nhanh chóng chuyển sang 
trạng thái về điểm a và giữ nguyên mãi mãi ở trạng thái đó nếu không có tác nhân kích thích 
từ bên ngoài. Ta nói rằng trạng thái này là đơn ổn, đựơc dùng trong các mạch tạo xung theo 
nhịp điều khiển. 
Với đường tải bất ổn cắt đặc tuyến I(V) chỉ ở điểm b (vùng điện trở âm của đặc tuyến), 
mạch điện sẽ không thể tồn tại lâu ở trạng thái này mà liên tục thay đổi điểm hoạt động chung 
quanh b, tạo ra các dao động điện tần số cao. Ta nói rằng trạng thái này là bất ổn, được dùng 
trong các mạch khuếch đại hoặc dao động siêu cao tần. 
Điện dẫn âm g hoặc điện trở âm nR của diode tunnel đươc định nghĩa trên đặc 
tuyến I(V) như sau: 
 1
n
I
g
R V

 
 (6.115) 
Hình 6.37. 
inZ 
sR sL 
C nR 
Diode Tunnel 
150 
Mạch điện tương đương của một diode tunnel được vẽ ở Hình 6.37. Điện trở RS và điện 
cảm LS tượng trưng cho các thông số của dây nối chân linh kiện từ bên ngoài. Tụ C là điện 
dung vùng tiếp xúc của diode thường được đo tại điểm thung lũng Vv trên đặc tuyến. 
Các giá trị tiêu biểu: 
30
1
n
s
R
R
 
 
20
5s
C pF
L nH
Từ Hình 6.37, ta suy ra tổng trở tương đương Zin của diode là: 
2
2 2
( )
1 ( ) 1 ( )
n
in s s
n
n n
s s
n n
j
R
CZ R j L
j
R
C
R R C
R j L
R C R C




 
 (6.116) 
 Tần số cắt, tại đó trở kháng Zn của diode tunnel là thuần kháng được suy ra từ (6.116): 
 1 1
2
n
c
n s
R
f
R C R 
 (6.117) 
Tần số cắt, tại đó trở kháng Zin là thuần trở (âm hoặc dương) là: 
21 1
2
n
r
n s
R C
f
R C L 
 (6.118) 
151 
PHỤ LỤC 1: MỘT SỐ KÝ HIỆU 
 Hệ số tiêu hao 
 Hệ số pha 
 Hệ số truyền sóng 
0, , ,t th    Các loại bước sóng trong môi trường truyền dẫn 
 Độ dẫn điện (điện dẫn suất) của môi trường 
0, , r   Các loại hằng số điện môi của môi trường 
0, , r   Các loại độ từ thẩm của môi trường 
, Đơn vị điện trở (ôm), tần số vòng. 
 Hiệu suất của mạch 
2 , Toán tử Laplace 
152 
PHỤ LỤC 2: CÁC CÔNG THỨC VÀ 
 ĐỊNH LÝ GIẢI TÍCH VECTƠ 
1 2 1 2 2 11)
2) . . .
3) .
4) . .
5) 0
6) 0
7)
grad grad grad
div A divA Agrad
rot A rotA grad A
div A B B rotA ArotB
rot grad
div rotA
rot rotA grad divA A
Định lý Green-Stokes 
. .l
L S
Ad rotAdS 
 
Định lý Oxtrogradski-Gauss 
. .
S V
AdS divAdv 
 
153 
TÀI LIỆU THAM KHẢO 
[1] Kiều Khắc Lâu, Lý thuyết trường Điện từ, NXB Giáo dục, 1999. 
[2] Kiều Khắc Lâu, Cơ sở kỹ thuật siêu cao tần, NXB Giáo dục, 1998. 
[3] Nguyễn Bình Thành, Nguyễn Trần Quân, Lê Văn Bảng, Cơ sở lý thuyết trường 
điện từ, NXB Đại học và Trung học chuyên nghiệp, 1970. 
[4] Phan Anh, Trường điện từ và truyền sóng, NXB ĐHQG Hà Nội, 2000. 
[5] Ngô Nhật Ảnh, Trương Trọng Tuấn Mỹ, Trường điện từ, NXB Đại học Quốc gia 
Tp.HCM, 2000. 
[6] Vũ Đình Thành, Lý thuyết cơ sở kỹ thuật siêu cao tần, NXB Khoa học và Kỹ 
thuật, 1997. 
[7] Nguyễn Văn Hùng, Điện động lực học, Nhà xuất bản Đại học Quốc gia Hà nội, 
2005. 
[8] David M.Pozar, Microwave Engineering – 2nd edition, John Wiley & Sons, Inc., 
1998. 
[9] J.Van Bladet, Electromagnetic fields, Mc.Graw Hill book company Inc. New 
York and London 1964.